參加第一屆亞太碳化硅及相關材料會議

發(fā)布時間：

2018-07-27

概要：

2018年7月9號參加了在北京舉辦的第一屆亞太碳化硅及相關材料會議，本次會議由中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學會發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關材料國際會議,此次會議主要圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流。

本次會議涉及的報告內容較多、領域較廣，為了掌握本專業(yè)的知識，同時了解客戶端的需要有針對地聆聽以下主要報告:

1、寬禁帶碳化硅半導體晶體研究及產業(yè)化------陳小龍

2、SiC器件在軌道交通中的應用前景------劉國友

3、X射線在碳化硅晶體檢測中的實際應用------甄偉

4、4H-SiC中三角形缺陷結構及成因研究進展-----孫國勝

5、4H-SiC功率DMOSFETS的進展------柏松

6、降低4H-SiC外延層中的形態(tài)缺陷-------李忠輝

7、SiC器件在未來電網中的應用--------邱宇峰

8、SiC電力半導體器件在電動汽車上的應用-------濱田公守

關鍵詞：

無